Veniamo ora all'esame del progetto del preamplificatore di alta frequenza, il cui schema elettrico è riportato in figura 1.

Fig. 1 - Schema elettrico del circuito del preamplificatore di alta frequenza

COMPONENTI

Il segnale AF, captato dall'antenna, attraversa il contatto di scambio del relè RL1 (posizionato come nel disegno) e raggiunge la presa intermedia della bobina L1, che costituisce il primo circuito accordato del preamplificatore.
La bobina L1 si comporta pure da trasformatore di impedenza, per consentire il massimo sfruttamento del segnale.
Il primo circuito accordato, così come il secondo, rappresentato dalla bobina L2, debbono essere regolati, in sede di taratura del circuito, su una frequenza centrale della banda CB.
La funzione del primo circuito accordato L1 d'ingresso è molto importante, perché questo filtro è in grado di selezionare i soli segnali a frequenza utile, scartando tutti gli altri anche quelli di potenza elevata.
Il segnale selezionato da L1 viene applicato al gate del primo transistor FET (TR1), nel quale subisce un primo processo di amplificazione.
L'accoppiamento con il secondo transistor FET (TR2) viene effettuato attraverso la connessione Drain - Source (D - S). Questo secondo transistor, come si può notare, è montato nella configurazione con gate (G) comune. E ciò, in pratica, significa che il gate del transistor TR2 si comporta, rispetto al segnale, come se fosse collegato a massa.
Anche il carico di Drain (D) del secondo transistor FET è rappresentato da un circuito accordato, composto dalla bobina L2 e dal condensatore C4. Questo circuito deve essere regolato, in sede di taratura del preamplificatore, sullo stesso valore di frequenza su cui è stato tarato il primo circuito accordato (L1 - C1).
Il condensatore C6 preleva il segnale d'uscita da una presa intermedia della bobina L2 e lo invia, attraverso il contatto del relè RL2, al connettore d'uscita del circuito del preamplificatore.