INTEGRATI BIFET - 6

Ogni operazionale bifet integra, in un unico supporto, la tecnologia bipolare e quella FET. E ciò è dimostrato nello schema semplificato riportato in figura 5, nel quale si può notare lo stadio d'ingresso a FET (FT1), che conferisce al circuito doti di elevatissima impedenza d'entrata e di alta velocità di risposta.

Fig. 5 - Schema semplificato di un integrato operazionale bifet. Le sigle GM e GCC2 definiscono due generatori di corrente costante.

Allo stadio pilotato da FT1 fa seguito quello amplificatore a transistor bipolari, tipico degli integrati operazionali. Gli elementi GCC1 e GCC2, presenti nel circuito di figura 5, sono due generatori di corrente costante. In ogni caso i FET e i transistor amplificano e trattano opportunamente i segnali applicati all'ingresso,  mentre tutti gli altri componenti svolgono compiti di stabilizzazione del punto di lavoro dell'integrato. In particolare, con la sigla CC si designa il condensatore di compensazione. A titolo informativo riportiamo, qui di seguito, alcuni valori usuali dei parametri elettrici riferiti ai modelli di operazionali bifet più comuni e maggiormente reperibili in commercio:

Alimentazione: duale (± 15 V)

Guadagno: 200.000 volte

Banda passante: 3 MHz

Impedenza d'ingresso: 10e12 ohm (1.000.000 megaohm)

Separazione tra i canali: 120 dB

In figura 6 abbiamo riportato lo schema elettrico completo del circuito interno di un operazionale bifet modello TL 081.

Fig. 6 - Schema elettrico completo dell'integrato operazionale bifet mod.TL 081. La lettera T definisce il punto di taratura della tensione di uscita offset-null.

 In questo, la lettera T indica i punti di taratura della tensione d'uscita (offset-null) di cui si è parlato in precedenza.