BJT - TRANSISTOR BIPOLARI - 6

Quando il transistor, qualunque sia il circuito di applicazione, si trova all'interdizione, nessuna dissipazione energetica viene provocata dal componente. Vediamo invece che cosa succede quando il transistor è in saturazione o, come dicono alcuni, rimane "acceso". Facciamo ancora riferimento allo schema di figura 8 e ai valori per esso menzionati. E cominciamo col valutare la corrente di collettore tramite la legge di Ohm: 

I = V : R.

 Considerando che la tensione è di 9 V, diminuita del valore di saturazione, cioè 9 V -0,1 V = 8,9 V e che la resistenza di collettore Rc vale 82 ohm, si ha:

Basta ora moltiplicare il valore della corrente di collettore per la tensione di saturazione, per individuare l'entità della potenza elettrica dissipata sul collettore:

La potenza dissipata dalla base è irrisoria ed è stabilita dal seguente prodotto:

Pdb = Vbe x Ib= 0,7 V x 0,0001 A = 0,00007 W

Dunque la potenza complessiva dissipata dal transistor nel circuito di figura 9 è la somma della potenza dissipata sul collettore e sulla base ovvero

Anche la potenza dissipata dal transistor è irrisoria. Ma le cose cambiano quando si impiegano transistor di potenza. E cambiano pure quando il transistor di piccola o media potenza, anziché essere in stato di saturazione è in quello di semplice conduzione. Per esempio con una tensione di collettore -emittore Vce di 4,5 V, nello schema di figura 9, il flusso di corrente diventa:

I =V:R          =>           4,5 V : 82 ohm = 0,054 A = 54 mA

e la potenza dissipata dal transistor, trascurando quella di base, è di:

Dunque, come si può notare, la massima dissipazione del transistor non si verifica quando questo è in saturazione, bensì quando si trova in semplice conduzione e comincia a riscaldarsi, imponendo, alle volte, l'impiego di elementi di raffreddamento (radiatori).